Физический смысл уровня ферми. Энергия ферми и температура вырождения

Функция распределения для вырожденного коллектива фермионов впервые была получена итальянским физиком Энрико Ферми и английским физиком Полем Дираком:

Химический потенциал μ для фермионов обычно называют энергией , или уровнем Ферми Е Ф .

Анализ выражения показывает, что при Е =Е Ф и температуре Т >0, f Ф (Е )=½, т.е. вероятность заселения уровня Ферми при Т >0 равна ½.

Для того чтобы понять свойства функции Ферми-Дирака, полезно рассмотреть ее поведение при Т =0. Проводник можно представить в виде потенциальной ямы для электронов, выход из которой требует совершения работы по преодолению сил связи, удерживающих электроны – работы выхода (рис. 3.3, а ). На рисунке показаны энергетические уровни, которые могут занимать электроны. Согласно постулату Паули, на каждом уровне может располагаться не более двух электронов (с противоположными спинами).

а ) б )

Рис. 3.3. Электроны в проводнике: а Т =0; б Т >0

Как видно на рисунке, при Т =0 все уровни ниже уровня Ферми заняты, а все уровни выше этого уровня пусты, т.е. функция f Ф (Е ) при Т =0 имеет форму ступеньки (рис. 3.4, а ).

а ) б )

Рис. 3.4. Распределение Ферми-Дирака: а – функция распределения Ф-Д;
б – полная функция распределения

Таким образом можно определить физический смысл уровня Ферми, но только для проводников. В случае полупроводников или изоляторов это определение неприемлемо, поскольку в этих материалах недостаточно свободных электронов и уровень Ферми находится в запрещенной зоне (п. 4.5).

Умножив функцию распределения (3.20) на число состояний (3.13), получим выражение для полной функции распределения при Т =0 (рис. 3.4, б )

поскольку в интервале Е Ф Е >0, f Ф (Е )=1.

Проинтегрировав (3.21) в указанном интервале энергий, будем иметь выражение для энергии Ферми:

, (3.22)

где n – концентрация электронного газа в проводнике.

Используя выражение (3.21), можно получить формулы для вычисления средней энергии – и максимальной скорости электронов при абсолютном нуле

Необходимо отметить, что кинетическая энергия электронов Е Ф не является тепловой энергией, а имеет чисто квантовую природу и определяется свойствами электронов как Ферми-частиц.

С повышением температуры электроны подвергаются тепловому возбуждению и переходят на более высокие энергетические уровни (см. рис. 3.3, б). Происходит “размывание” функций распределения (см.
рис. 3.4), и ступенька Е =Е Ф преобразуется в интервал, ширина которого равна 2kT . Однако более глубокие состояния электронов остаются неизменными.

Проведенные расчеты показывают, что число термически возбужденных частиц составляет для комнатной температуры всего 1...2% от общего числа. Если проинтегрировать полную функцию распределения во всем энергетическом диапазоне, то можно получить выражение для температурной зависимости энергии Ферми

, (3.25)

где Е Ф о – энергия Ферми для Т =0К (3.22).

Напомним, что тепловое возбуждение так незначительно влияет на характеристики вырожденного Ферми-газа, что во многих случаях этим влиянием можно пренебречь и считать Е Ф =Е Ф о во всем температурном диапазоне.

Можно также вычислить среднюю энергию электронов при ненулевой температуре Т >0

, (3.26)

где Е п – полная энергия электронного газа.

Ранее мы говорили о Ферми-газе, считая его вырожденным коллективом. Однако, в случае выполнения критерия (3.11) G >>N , можно говорить о снятии вырождения. Тогда критерий невырожденности (3.11) примет вид

(3.27)

или в случае Е =0

Из последнего соотношения следует, что для невырожденного Ферми-газа должно выполняться условие

-Е Ф > kT (3.29)

При выполнении условия (3.27) единицей в знаменателе выражения (3.20) можно пренебречь, и выражение (3.20) совпадает с формулой для функции Максвелла-Больцмана.

В проводниках, где концентрация электронов высока, электронный газ всегда находится в вырожденном состоянии. С невырожденным электронным газом приходится сталкиваться в собственных (беспримесных) и слаболегированных (10 16 ...10 24 м -3) полупроводниках. При таких условиях выполняется критерий (3.11) и электронный газ млжно считать невырожденным. Поэтому уместно, на наш взгляд, привести таблицу, где содержатся основные характеристики электронного газа: его средняя энергия, квадратичная скорость υ кв , импульс P (табл. 3.2).

Таблица 3.2

Параметры электронного газа

Параметры газа Газ
невырожденный вырожденный
, Т =0 Т >0
J кв , Т =0 Т >0 м/с
Р , Т =0 Т >0 ≈10 10 Па Р Р 0

Из данных таблицы видно, что параметры вырожденного газа в отличие от газа невырожденного при нулевой температуре не равны нулю и практически не зависят от температуры. Это, в свою очередь, говорит о нетепловом квантовомеханическом характере данных процессов.

  • 1.8. Атом водорода в квантовой механике. Квантовые числа
  • Состояния электрона в атоме водорода
  • 1.9. 1S– состояние электрона в атоме водорода
  • 1.10. Спин электрона. Принцип Паули
  • 1.11. Спектр атома водорода
  • 1.12. Поглощение света, спонтанное и вынужденное излучения
  • 1.13. Лазеры
  • 1.13.1. Инверсия населенностей
  • 1.13.2. Способы создания инверсии населенностей
  • 1.13.3. Положительная обратная связь. Резонатор
  • 1.13.4. Принципиальная схема лазера.
  • 1.14. Уравнение Дирака. Спин.
  • 2. Зонная теория твердых тел.
  • 2.1. Понятие о квантовых статистиках. Фазовое пространство
  • 2.2. Энергетические зоны кристаллов. Металлы. Полупроводники. Диэлектрики
  • Удельное сопротивление твердых тел
  • 2.3. Метод эффективной массы
  • 3. Металлы
  • 3.1. Модель свободных электронов
  • При переходе из вакуума в металл
  • 3.2. Распределение электронов проводимости в металле по энергиям. Уровень и энергия Ферми. Вырождение электронного газа в металлах
  • Энергия Ферми и температура вырождения
  • 3.3. Понятие о квантовой теории электропроводности металлов
  • 3.4. Явление сверхпроводимости. Свойства сверхпроводников. Применение сверхпроводимости
  • 3.5. Понятие об эффектах Джозефсона
  • 4. Полупроводники
  • 4.1. Основные сведения о полупроводниках. Классификация полупроводников
  • 4.2. Собственные полупроводники
  • 4.3.Примесные полупроводники
  • 4.3.1.Электронный полупроводник (полупроводник n-типа)
  • 4.3.2. Дырочный полупроводник (полупроводник р-типа)
  • 4.3.3.Компенсированный полупроводник. Частично компенсированный полупроводник
  • 4.3.4.Элементарная теория примесных состояний. Водородоподобная модель примесного центра
  • 4.4. Температурная зависимость удельной проводимости примесных полупроводников
  • 4.4.1.Температурная зависимость концентрации носителей заряда
  • 4.4.2.Температурная зависимость подвижности носителей заряда
  • 4.4.3. Температурная зависимость удельной проводимости полупроводникаn-типа
  • 4.4.5. Термисторы и болометры
  • 4.5. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках
  • 4.6. Диффузия носителей заряда.
  • 4.6.1. Диффузионная длина
  • 4.6.2. Соотношение Эйнштейна между подвижностью и коэффициентом диффузии носителей заряда
  • 4.7. Эффект Холла в полупроводниках
  • 4.7.1. Возникновение поперечного электрического поля
  • 4.7.2. Применение эффекта Холла для исследования полупроводниковых материалов
  • 4.7.3. Преобразователи Холла
  • 4.8. Магниторезистивный эффект
  • 5. Электронно-дырочный переход
  • 5.1.Образование электронно-дырочного перехода
  • 5.1.1. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия (при отсутствии внешнего напряжения)
  • 5.1.2.Прямое включение
  • 5.1.3.Обратное включение
  • 5.2.КласСификация полупроводниковых диодов
  • 5.3. Вольт-амперная характеристика электроннно-дырочного перехода. Выпрямительные, детекторные и преобразовательные диоды
  • 5.3.1.Уравнение вольт-амперной характеристики
  • Классификация полупроводниковых диодов
  • 5.3.2.Принцип действия и назначение выпрямительных, детекторных и преобразовательных диодов
  • 5.4. Барьерная емкость. Варикапы
  • 5.5.Пробой электронно-дырочного перехода
  • 5.6. Туннельный эффект в вырожденном электронно-дырочном переходе. Туннельные и обращенные диоды
  • 6.Внутренний фотоэффект в полупроводниках.
  • 6.1.Фоторезистивный эффект. Фоторезисторы
  • 6.1.1.Воздействие излучения на полупроводник
  • 5.1.2.Устройство и характеристики фоторезисторов
  • 6.2.Фотоэффект в электронно-дырочном переходе. Полупроводниковые фотодиоды и фотоэлементы.
  • 6.2.1.Воздействие света наp-n-переход
  • 7.Люминесценция твердых тел
  • 7.1.Виды люминесценции
  • 7.2.Электролюминесценция кристаллофосфоров
  • 7.2.1. Механизм свечения кристаллофосфоров
  • 7.2.2. Основные характеристики электролюминесценции кристаллофосфоров
  • 7.3.Инжекционная электролюминесценция. Устройство и характеристики светодиодных структур
  • 7.3.1.Возникновение излучения в диодной структуре
  • 7.3.2.Конструкция светодиода
  • 7.3.3.Основные характеристики светодиодов
  • 7.3.4.Некоторые применения светодиодов
  • 7.4 Понятие об инжекционных лазерах
  • 8. Транзисторы
  • 8.1.Назначение и виды транзисторов
  • 8.2.Биполярные транзисторы
  • 8.2.1 Структура и режимы работы биполярного транзистора
  • 8.2.2.Схемы включения биполярных транзисторов
  • 8.2.3.Физические процессы в транзисторе
  • 8.3.Полевые транзисторы
  • 8.3.1.Разновидности полевых транзисторов
  • 8.3.2.Полевые транзисторы с управляющим переходом
  • 8.3.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Структуры мдп-транзисторов
  • 8.3.4.Принцип действия мдп-транзисторов с индуцированным каналом
  • 8.3.5. Мдп-транзисторы со встроенным каналом
  • 8.4. Сравнение полевых транзисторов с биполярными
  • Заключение
  • 1.Элементы квантовой механики 4
  • 2. Зонная теория твердых тел. 42
  • 3. Металлы 50
  • 4. Полупроводники 66
  • 5. Электронно-дырочный переход 98
  • 6.Внутренний фотоэффект в полупроводниках. 109
  • 7.Люминесценция твердых тел 114
  • 8. Транзисторы 123
  • Энергия Ферми и температура вырождения

    Средняя энергия классического (невырожденного) газа составляет величину порядка ~ kT . При комнатных температурах (T ≈300 K ) kT ≈ 0,025 эВ. Сравнение этой величины с энергией Ферми показывает, чтоkT << E F . Это означает, чтоэлектронный газ в металлах всегда вырожден , то есть проявляет чисто квантовые свойства.

    Одним из критериев вырождения является температура вырождения , равная

    При T < T F система вырождена и подчиняется квантовым статистикам. ПриT > T F система не вырождена, и ее поведение подчиняется классической статистике Максвелла-Больцмана.

    В таблице 3.1 приведены также температуры вырождения электронного газа. Они составляют по порядку величины десятки и сотни тысяч градусов. Значит электронный газ является вырожденным при всех температурах, при которых металл находится в твердом состоянии. Вырождению газа способствуют малое значение массы электронов m и их высокая концентрацияn .

    Рассмотрим поведение функции распределения f F приТ>0

    .(3.2.8)

    С повышением температуры электроны приобретают тепловую энергию порядка k Т и переходят на более высокие энергетические уровни (выше уровня Ферми), вследствие чего меняется характер распределения их по энергетическим состояниям (рис.3.3, б). По сравнению с нулевой температурой спад кривойf F (E ) происходит не скачком до нуля приE = E F , а происходит плавно в полосе шириной порядка~ 2 kT . Так как энергия теплового движенияk Т значительно меньше энергии Ферми, то тепловому возбуждению могут подвергаться лишь электроны узкой энергетической полосы порядкаk Т ,непосредственно расположенной вблизи уровня Ферми (рис.3.5).

    Электроны, находящиеся на более глубоких энергетических уровнях, остаются практически незатронутыми, так как энергии теплового движенияk Т недостаточно для их возбуждения (для перевода за уровень Ферми). ЭнергииE = E F , соответствует значение функции распределения
    . Поэтому приТ > 0 уровень Ферми - это уровень энергии, вероятность заполнения которого равна .

    На рис.3.3,б заштрихованные площади пропорциональны числу электронов, покидающих состояние с энергией
    , (площадка АДВ) и переходящих на уровни, расположенные выше уровня Ферми
    (площадка ВМС). По величине эти площади равны друг другу. Доля электронов, приходящих в состояние теплового возбуждения, равна

    , (3.2.9)

    При комнатной температуре эта доля незначительна и составляет менее 1% от общего числа электронов проводимости.

    Данным обстоятельством объясняется тот факт, что теплоемкость электронного газа оказывается чрезвычайно малой по сравнению с теплоемкостью решетки. Молярная теплоемкость его
    , а по классической теории
    . (ЗдесьR- универсальная газовая постоянная). Этот результат хорошо согласуется с опытом и снимает одно из затруднений классической электронной теории металлов.

    3.3. Понятие о квантовой теории электропроводности металлов

    Теория электропроводности металлов, построенная на основе квантовой механики и квантовой статистики Ферми-Дирака, называется квантовой теорией электропроводности металла.

    Расчет электропроводимости металлов в квантовой теории был произведен Зоммерфельдом. Был выведен закон Ома в дифференциальной форме

    , (3.3.1)

    где - удельная проводимость;- плотность тока в данной точке;- напряженность электрического поля.

    Для удельной проводимости было получено следующее выражение:

    ; (3.3.2)

    где
    - средняя длина свободного пробега электрона, обладающего энергией Ферми,
    - скорость такого электрона,m - его масса.

    Сравним (3.12) с выражением, полученным из классической электронной теории металлов

    . (3.3.3)

    В этом выражении < λ > - средняя длина свободного пробега электрона,
    - средняя скорость его теплового движения.

    Несмотря на то, что выражения (3.12) и (3.13) по внешнему виду похожи, их содержание различно. Средняя скорость теплового движения
    зависит от температуры, как
    , а
    практически не зависит от температуры, так как с изменением температуры энергия Ферми, а, следовательно, и скорость, остаются практически неизменными.

    Наиболее существенное различие формул (3.3.2) и (3.3.3) состоит в том, какой смысл вкладывается в понятие длины свободного пробега электрона < λ > в классической и квантовой теории металлов.

    Классическая электронная теория рассматривает электроны как обычные частицы и причиной электрического сопротивления металлов считает столкновения электронов с узлами кристаллической решетки. Полагая, что электроны сталкиваются почти со всеми узлами решетки, встречающимися на их пути, классическая теория принимает < λ > равной параметру решеткиd (d 10 -10 м ).

    Квантовая теория рассматривает электрон как частицу, обладающую волновыми свойствами, а электрический ток в металле - как процесс распространения электронных волн, длина волны которых определяется формулой де Бройля

    . (3.3.4)

    Такие представления позволяют объяснить наблюдаемую экспериментально температурную зависимость удельной проводимости и удельного сопротивления. Рассмотрим идеальную кристаллическую решетку металла, в узлах которой находятся неподвижные ионы, а примеси и дефекты отсутствуют. Такая идеальная решетка не рассеивает электронные волны, и электрическое сопротивление такого металла должно быть равно нулю.

    В реальных кристаллах при T > 0 ионы совершают тепловые колебания около положения равновесия, нарушая строгую периодичность решетки. Кроме того, в таких решетках обычно присутствуют структурные дефекты: примеси, вакансии, дислокации и так далее. Все эти неоднородности играют роль центров рассеивания для электронных волн и являются причиной электрического сопротивления. Расчет показывает, что средняя длина свободного пробега< λ F > зависит от температуры по закону

    , (3.3.5)

    где
    - модуль упругости;d - параметр решетки.

    С учетом (3.15) удельная проводимость ,определяемая формулой (3.12), будет иметь вид

    , (3.3.6)

    то есть , а, что хорошо согласуется с опытом в области не слишком низких температур.

    При очень низких температурах формула (3.3.5) не выполняется. При этом длина свободного пробега оказывается обратно пропорциональной не первой, а пятой степени температуры, поэтому и удельное сопротивлениеρ будет пропорционально пятой степени абсолютной температуры.

    На рис.3.7 изображена зависимость удельного электрического сопротивления металла от температуры. При Т=0 удельное сопротивление металла равно не нулю, а остаточному сопротивлению ост , обусловленному рассеиванием электронных волн на структурных дефектах решетки металла.

    Вырожденный электронный газ в металле.

    Распределение электронов по различным квантовым состояниям подчиняется принципу Паули, согласно которому в одном состоянии не может быть двух одинаковых (с одинаковым набором четырех квантовых чисел) электронов, они должны отличаться какой-то характеристикой, например направлением спина. Следовательно, по квантовой теории, электроны в металле не могут располагаться на самом низшем энергетическом уровне даже при 0 К. Принцип Паули вынуждает электроны взбираться вверх «по энергетической лестнице».

    Электроны проводимости в металле можно рассматривать как идеальный газ, подчиняющийся распределению Ферми-Дирака. Если μ 0 – химический потенциал электронного газа при T = 0 К, то, среднее число электронов в квантовом состоянии с энергией Е равно

    (1)

    Для фермионов (электроны являются фермионами) среднее число частиц в квантовом состоянии и вероятность заселенности квантового состояния совпадают, так как квантовое состояние либо может быть не заселено, либо в нем будет находиться одна частица. Это означает, что для фермионов = f (Е ), где f (Е ) – функция распределения электронов по состояниям. Из (1) следует, что при Т = 0 К функция распределений = 1, если E < μ 0 , и =0, если E > μ 0 ,. График этой функции приведен на рис. 15, а. В области энергий от 0 до μ 0 функция равна единице. При E = μ 0 она скачкообразно изменяется до нуля. Это означает, что при Т = 0 К все нижние квантовые состояния, вплоть до состояния с энергией E = μ 0 , заполнены электронами, а все состояния с энергией, большей μ 0 , свободны. Следовательно, μ 0 есть не что иное, как максимальная кинетическая энергия, которую могут иметь электроны проводимости в металле при 0 К. Эта максимальная кинетическая энергия называется энергией Ферми и обозначается Е F . ( Е F = μ 0). Поэтому распределение Ферми - Дирака обычно записывается в виде

    (2)

    Наивысший энергетический уровень, занятый электронами, называется уровнем Ферми. Уровню Ферми соответствует энергия Ферми Е F: , которую имеют электроны на этом уровне. Уровень Ферми, очевидно, будет тем выше, чем больше плотность электронного газа. Работу выхода электрона из металла нужно отсчитывать не от дна «потенциальной ямы», как это делалось в классической теории, а от уровня Ферми, т. с. от верхнего из занятых электронами энергетических уровней.

    Для металлов при не слишком высоких температурах выполняется неравенство kT << E F . Это означает, что электронный газ в металлах практически всегда находится в состоянии сильного вырождения. Температура T 0 вырождения находится из условия kT 0 = E F . Она определяет границу, выше которой квантовые эффекты перестают быть существенными. Соответствующие расчеты показывают, что для электронов в металле Т 0 ≈ 10 4 К, т.е. для всех температур, при которых металл может существовать в твердом состоянии, электронный газ в металле вырожден.


    При температурах, отличных от 0 К, функция распределения Ферми-Дирака (2) плавно изменяется от 1 до 0 в узкой области (порядка kT ) в окрестности Е F (рис. 15, б). (Здесь же для сравнения пунктиром приведена функция распределения при Т = 0 К.) Это объясняется тем, что при T > 0 небольшое число электронов с энергией, близкой к Е F , возбуждается за счет теплового движения и их энергия становится больше Е F . Вблизи границы Ферми при Е < Е F заполнение электронами меньше единицы, а при Е >Е F . - больше нуля. В тепловом движении участвует лишь небольшое число электронов, например при комнатной температуре Т ≈ 300 К и температуре вырождения T 0 = 3 10 4 К, - это 10 -5 от общего числа электронов.

    Если (Е - Е F ) >> kТ («хвост» функции распределения), то единицей в знаменателе (2) можно пренебречь по сравнению с экспонентой и тогда распределение Ферми - Дирака переходит в распределение Максвелла - Больцмана.

    Фе́рми-эне́ргия - значение энергии, ниже которой при температуре абсолютного нуля Т=0 К, все энергетические состояния системы частиц, подчиняющихся Ферми - Дирака статистике , заняты, а выше - свободны. Уровень Ферми - некоторый условный уровень, соответствующий энергии Ферми системы фермионов ; в частности электронов твердого тела, играет роль химического потенциала для незаряженных частиц. Статистический смысл уровня Ферми - при любой температуре его заселенность равна 1/2 .

    Положение уровня Ферми является одной из основных характеристик состояния электронов (электронного газа) в твердом теле. В квантовой теории вероятность заполнения энергетических состояний электронами, определяется функцией Ферми F(E):

    F(E) =1/(e (E-E F)/kT +1) , где

    Е - энергия уровня, вероятность заполнения которого определяется,

    E F - энергия характеристического уровня, относительно которого кривая вероятности симметрична;

    Т - абсолютная температура;

    При абсолютном нуле из вида функции следует, что

    F(E) = 1 при Е F ;

    F(E) = 0 при Е >E F .

    То есть все состояния, лежащие ниже уровня Ферми, полностью заняты электронами, а выше него свободны.

    Энергия Ферми E F - максимальное значение энергии, которое может иметь электрон при температуре абсолютного нуля. Энергия Ферми совпадает со значениями химического потенциала газа фермионов при Т =0 К , то есть уровень Ферми для электронов играет роль уровня химического потенциала для незаряженных частиц. Соответствующий ей потенциал j F = E F /е называют электрохимическим потенциалом.

    Таким образом, уровнем Ферми или энергией Ферми в металлах является энергия, которую может иметь электрон при температуре абсолютного нуля. При нагревании металла происходит возбуждение некоторых электронов, находящихся вблизи уровня Ферми (за счет тепловой энергии, величина которой порядка kT ). Но при любой температуре для уровня с энергией, соответствующей уровню Ферми, вероятность заполнения равна 1/2. Все уровни, расположенные ниже уровня Ферми, с вероятностью больше 1/2 заполнены электронами, а все уровни, лежащие выше уровня Ферми, с вероятностью больше 1/2 свободны от электронов.

    Для электронного газа в металлах при Т = 0 величина энергии Ферми однозначно определяется концентрацией электронов и ее можно выразить через число n частиц электронного газа в единице объема: зависимость энергии Ферми от концентрации электронов нелинейная.

    С ростом температуры (а также уменьшением концентрации электронов) уровень Ферми смещается по шкале энергий влево, но его заселенность остается равной 1/2. В реальных условиях изменение E Fс увеличением температуры мало. Например, для Ag, имеющего при Т=0 значение E F равное 5, 5 эВ, изменение энергии Ферми при температуре плавления составляет всего около 0, 03% от исходного значения.

    В полупроводниках при очень низких температурах уровень Ферми лежит посередине между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны . (Для донорных полупроводников - полупроводников n -типа проводимости - уровень Ферми лежит посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем). С повышением температуры вероятность заполнения донорных состояний уменьшается, и уровень Ферми перемещается вниз. При высоких температурах полупроводник по свойствам близок к собственному, и уровень Ферми устремляется к середине запрещенной зоны. Аналогичные закономерности проявляются и полупроводниках р -типа проводимости.

    Существование энергии Ферми является следствием Принципа Паули . Величина энергии Ферми существенно зависит от свойств системы. Понятие об энергии Ферми используется в физике твердого тела, в ядерной физике, в астрофизике и т. д.



    Последние материалы раздела:

    Важность Патриотического Воспитания Через Детские Песни
    Важность Патриотического Воспитания Через Детские Песни

    Патриотическое воспитание детей является важной частью их общего воспитания и развития. Оно помогает формировать у детей чувство гордости за свою...

    Важность Патриотического Воспитания Через Детские Песни
    Важность Патриотического Воспитания Через Детские Песни

    Патриотическое воспитание детей является важной частью их общего воспитания и развития. Оно помогает формировать у детей чувство гордости за свою...

    Важность Патриотического Воспитания Через Детские Песни
    Важность Патриотического Воспитания Через Детские Песни

    Патриотическое воспитание детей является важной частью их общего воспитания и развития. Оно помогает формировать у детей чувство гордости за свою...